IS41C16257
IS41LV16257
256K ×16 （ 4兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
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•
•
•
•
快速访问和周期时间
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
刷新方式：
RAS
- 只，
CAS
-before-
RAS
（CBR） ，
和隐藏
JEDEC标准引脚
单电源供电：
-- 5V
±
10 ％ （ IS41C16257 ）
-- 3.3V
±
10 ％ （ IS41LV16257 ）
通过两个字节写和字节读取操作
CAS
提供工业级温度
ISSI
1999年5月
®
描述
该
ISSI
IS41C16257和IS41LV16257是262,144
×16位的高性能CMOS动态随机存取
回忆。快速页模式允许512随机访问
访问周期单列短至12毫微秒内
每个16位的字。的字节写入控制的，上部和下部
字节，使这些器件非常适合用于16位和32位
宽数据总线的系统。
这些特性使得IS41C16257和IS41LV16257
理想地适用于高频段宽度的图形，数字信号
处理，高性能计算系统，并
外设应用。
该IS41C16257和IS41LV16257被包装在
40针， 400万SOJ和TSOP （ II型） 。
•
•
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
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DR004-1B
05/24/99
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
