IS41LV32256
256K ×32 （ 8兆位） EDO RAM动态
3.3V ， 100/83/66兆赫
特点
• 262,144字×32位的组织
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
•四
CAS
输入的字节写和读字节
控制
•刷新模式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，
和隐藏
•在8毫秒512周期刷新
•使用扩展数据输出快速页面模式
• 100引脚PQFP ， TQFP封装
ISSI
2000年9月
®
描述
该
ISSI
IS41LV32256组织在一个262122 ×32位
CMOS动态随机存取存储器。四
CAS
信号的
便于执行字节读和字节写操作。
10 ns的速度非常快EDO周期时间允许操作
100MHz的频率，使IS41LV32256的理想
帧缓冲存储器，用于图形应用。
该IS41LV32256与JEDEC标准兼容
SGRAMs 。这8兆位EDO内存提供了一个显著
低等待时间和比SGRAM更快的存储器周期。
ISSI
的IS41LV32256 3.3V 256K ×32器件引脚/电压
与所有标准的SGRAM部分兼容。
该IS41LV32256是采用100引脚PQFP和TQFP
封装。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
马克斯。
OE
访问时间（吨
OE
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
分钟。 EDO周期时间（t
PC
)
-28
28
9
15
9
48
12
-30
30
9
16
9
53
12
-35
35
10
18
10
60
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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集成的芯片解决方案，公司
REV 。一
09/29/00
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
