IS42S16100C1
512K字×16位×2组（ 16兆位）
同步动态RAM
特点
•时钟频率： 200 ， 166 ， 143 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•两个银行可以同时操作，
独立地
•双内部银行通过控制A11
（银行选择）
•单3.3V电源
• 2.5V V
DD
可用选项
• LVTTL接口
•可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
•可编程突发序列：
顺序/交错
• 4096刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
¥可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发站，
预充电命令
•字节由LDQM和UDQM控制
•工业温度高达143 MHz的
•包400万50针TSOP II
•无铅封装选项
ISSI
2004年7月
®
描述
ISSI
的16Mb的同步DRAM IS42S16100C1是
组织为524,288字×16位×2 ，银行
改进的性能。该同步DRAM
使用流水线实现高速数据传输
架构。所有输入和输出信号的参考
时钟输入的上升沿。
销刀豆网络gurations
50引脚TSOP （ II型）
VDD
DQ0
DQ1
GNDQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
GNDQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
DQ15
IDQ14
GNDQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
GNDQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
A0-A10
A11
A0-A7
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
地址输入
行地址输入
银行选择地址
列地址输入
数据DQ
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
CAS
WE
LDQM
UDQM
VDD
GND
VDDQ
GNDQ
NC
列地址选通命令
写使能
低再见，输入/输出面膜
上再见，输入/输出面膜
动力
地
电源的DQ引脚
地面DQ引脚
无连接
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1-800-379-4774
REV 。一
07/20/04
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
