IS42S83200A
（ 4 - X银行8,388,608 - 字×8位）
IS42S16160A
（ 4 - X银行4,194,304 - 字×16位）
ISSI
2005年11月
®
256 MB同步DRAM
描述
IS42S83200A是一个同步
256Mb
SDRAM是
组织为4 - X银行8,388,608字×8位;和
IS42S16160A组织为4 - X银行4,194,304字X
16-bit.
所有输入和输出都引用到上升
CLK的边缘。
IS42S83200A
和
IS42S16160A
实现非常
高速时钟速率
高达166MHz的，
并
适用于主存储器或
图像
记忆中的计算机系统。
特点
项
TCLK
时钟周期时间
（分）
CL=2
CL=3
IS42S83200A/16160A
-6
-
6
42
15
CL=2
CL=3
-7
-
7
45
20
-
5.4
63
-75
10
7.5
45
20
6
5.4
67.5
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
mA
tRAS的活动，以预充电命令周期（分钟）。
（分）
tRCD的行列延时
TAC
TRC
Icc1
Icc6
从CLK访问时间
REF /主动命令时期
工作电流（单银行）
自刷新电流
（ MAX 。 ）
（分）
（ MAX 。 ）
IS42S83200A
IS42S16160A
-
5
60
-
130
3
-
130
3
-
3
（最大值） -6 ， -7 ， -75
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 最大。时钟频率：
-6： 166MHz<3-3-3>
-7 ： 143MHz<3-3-3>
-75 ： 133MHz<3-3-3>
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 由BA0控制的4 -银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 / FP （可编程）
- 突发类型 - 顺序和交错爆裂（可编程）
- 字节控制 - DQML和DQMU （ IS42S16160A ）
- 随机接入列
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 自动和自刷新
- 8192刷新周期/ 64ms的（ 4银行同步更新）
- LVTTL接口
- 行地址A0-12 /列地址A0-9 （ X8 ） / A0-8 （ X16 ）
- 包装：
400万， 54引脚薄型小外形封装（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距
-
无铅可用
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
Rev. D的
11/01/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
