IS42S83200B
IS42S16160B
32Meg ×8 ， 16兆X16
256兆位同步DRAM
ISSI
®
初步信息
2006年5月
特点
•时钟频率： 166 ， 143 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•电源
IS42S83200B
IS42S16160B
• LVTTL接口
•可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自动刷新（ CBR ）
•自刷新
• 8K刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
¥可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
•可在工业级温度
•提供54引脚TSOP -II和54球BGA
（ X16只）
•提供无铅
V
DDQ
V
DD
3.3V 3.3V
3.3V 3.3V
概观
ISSI
的256Mb的同步DRAM实现高速
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟输入的上升沿。
256MB的SDRAM安排如下。
IS42S83200B
54引脚TSOPII
IS42S16160B
54引脚TSOPII
54球BGA
8M ×8× 4银行4M x16x4银行
关键时序参数
参数
CLK周期时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
CLK频率
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
从时钟存取时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
-6
6
8
166
125
5.4
6.5
-7
7
10
143
100
5.4
6.5
单位
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
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初步信息，牧师00E
05/25/06
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
