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IS42S16400-10TI 参数 Datasheet PDF下载

IS42S16400-10TI图片预览
型号: IS42S16400-10TI
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内容描述: 1梅格位×16位× 4银行( 64兆位)同步动态RAM [1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 54 页 / 558 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS42S16400
1梅格位×16位× 4银行( 64兆位)
同步动态RAM
特点
•时钟频率: 166 , 133 , 100 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•单3.3V电源
• LVTTL接口
•可编程突发长度
- ( 1,2, 4,8,全页)
•可编程突发序列:
顺序/交错
•自刷新模式
• 4096刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
¥可编程
CAS
延迟(2,3时钟)
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
•字节由LDQM和UDQM控制
•工业温度可用性
•包装: 400万54针TSOP II
ISSI
最终生产
2001年5月
®
概观
ISSI
的64Mb的同步DRAM IS42S16400组织
作为1,048,576位×16位×4银行改进
性能。该同步DRAM实现高速
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟输入的上升沿。
销刀豆网络gurations
54引脚TSOP ( II型)
VCC
I/O0
VCCQ
I/O1
I/O2
GNDQ
I/O3
I/O4
VCCQ
I/O5
I/O6
GNDQ
I/O7
VCC
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
GND
I/O15
GNDQ
I/O14
I/O13
VCCQ
I/O12
I/O11
GNDQ
I/O10
I/O9
VCCQ
I/O8
GND
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
BA0 , BA1
I / O0至I / O15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
LDQM
UDQM
VCC
GND
VCC
Q
GND
Q
NC
写使能
低再见,输入/输出面膜
上再见,输入/输出面膜
动力
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
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集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
目标特定网络阳离子
05/04/01
版本C
1