IS42S16400B
1梅格位×16位× 4银行（ 64兆位）
同步动态RAM
特点
•时钟频率： 166 ， 143 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•单3.3V电源
• LVTTL接口
•可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自刷新模式
• 4096刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
¥可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
•突发读/写操作的能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
•字节由LDQM和UDQM控制
•工业温度可用性
•包装： 400万54针TSOP II
•无铅封装可用
2007年5月
概观
ISSI
的64Mb的同步DRAM IS42S16400B组织
作为1,048,576位×16位×4银行改进
性能。该同步DRAM实现高速
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟输入的上升沿。
销刀豆网络gurations
54引脚TSOP （ II型）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
GNDQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
GNDQ
DQ7
VDD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
GND
DQ15
GNDQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
GNDQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
GND
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
LDQM
UDQM
V
DD
GND
V
DD
Q
GND
Q
NC
写使能
低再见，输入/输出面膜
上再见，输入/输出面膜
动力
地
电源的DQ引脚
地面DQ引脚
无连接
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牧师˚F
05/21/07
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
