IS42S81600B,
IS42S16800B
ISSI
®
概述
读
READ命令选择银行从BA0 ， BA1
输入并启动突发读取访问活动行。
输入A0 -A9 （ X8 ） ; A0 -A8 （ X16 ）提供起始列
位置。当A10为高电平时，该命令的功能为
自动预充电命令。当自动预充电
被选择时，被访问的行会在被预充电
在读的最后破裂。该行将保持开放
随后的访问时，自动预充电不
选择。 DQ的读出的数据是受对逻辑电平
DQM输入两个时钟更早。当一个给定的DQM信号
注册HIGH ，相应的DQ的将是高
ž两个时钟后。 DQ公司将提供有效数据时，
DQM信号被登记为低电平。
预充电功能结合特定的读
或写命令。对于每个单独的READ或WRITE
命令，自动预充电是已启用或禁用。
自动预充电不只是在整版适用
突发模式。在读或写突发完成后，
该行/列的预充电所解决的问题是automati-
美云进行。
自动刷新命令
此命令执行自动刷新操作。
该行地址和银行进行自动刷新都
此操作过程中生成的。在规定期限（T
RC
）是
所需的单个刷新操作，并且没有其他的COM
mands可以在此期间被执行。此命令是
执行至少4096倍，每64毫秒。期间
自动刷新命令，地址位“不关心” 。
这个命令相当于CBR自动刷新。
写
突发写入访问活动行启动与
写命令。 BA0 ， BA1输入选择银行，并
起始列的位置由输入A0 -A9提供
（ X8 ） ; A0 -A8 （ X16 ） 。不管是不是自动预充电是
使用的是A10决定。
被访问的行会在该年底预充电
写爆了，如果自动预充电选择。如果AUTO
预充电没有被选中，该行将继续开放供
后续访问。
存储器阵列中写入相应的输入数据
DQ的和DQM的输入逻辑电平出现在同一时间。
数据将被写入存储器时， DQM信号为低电平。
当DQM为高电平时，相应的数据输入端将
忽略，并且一写将不会执行该字节/
列位置。
BURST TERMINATE
该BURST TERMINATE命令强行终止
突发读取并通过截断或者固定的写操作
长度或整页突发和最近注册
读或写操作之前BURST命令TERMI-
内特。
COMMAND INHIBIT
COMMAND INHIBIT防止新的命令被
执行。在正在进行的操作不会受到影响，除了
从在CLK信号是否启用
无操作
当
CS
低，中的NOP指令防止不必要的
从在空闲或等待状态被注册命令。
预充电
预充电命令用于关闭打开
排在一个特定的银行或开行的所有银行。 BA0 ，
BA1可用于选择哪些行进行预充电，或者它们
被视为“无关” 。 A10判断是否一
所有银行预充电。执行此命令后，
所选银行（ S）下一个命令后执行
在周期t的通道
RP
，这是需要周期
银行预充电。一旦银行已经被预充电，它是
在空闲状态，并且必须被激活之前，任何读取或
正在发行的是银行WRITE命令。
加载模式寄存器
在加载模式寄存器命令模式
寄存器是从A0 -A11加载。该命令只能是
发行时所有银行都处于空闲状态。
主动命令
当激活的命令被激活， BA0 ， BA1
输入选择一组将被访问，并且地址
在A0 -A11输入选择行。直到预充电
命令被发送到银行，该行保持打开
访问。
自动预充电
在自动预充电功能，保证了预充电
开始在一个脉冲串内的最早的有效阶段。这
功能允许个别银行预充电，而不要求还
荷兰国际集团明确的命令。 A10启用AUTO
6
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英文内容
05/01/06
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
