IS42S32200B
512K位×32位×4 ，银行（ 64 MBIT ）
同步动态RAM
特点
•时钟频率： 166 ， 143 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•单3.3V电源
• LVTTL接口
•可编程突发长度：
（ 1，2， 4，8，全页）
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自刷新模式
• 4096刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
¥可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
•工业温度可用性
•包400万86针TSOP II
•无铅封装可用
ISSI
®
初步信息
2003年9月
概观
ISSI
的64Mb的同步DRAM IS42S32200B是
组织为524,288位×32位×4 -银行提高
性能。该同步DRAM实现高
使用流水线架构的高速数据传送。所有输入
并将其输出的信号参阅到所述时钟的所述个上升沿
输入。
引脚配置
（ 86引脚TSOP （ II型）
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
GNDQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
GNDQ
DQ7
NC
V
DD
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ16
GNDQ
DQ17
DQ18
V
DDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
GND
DQ15
GNDQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
GNDQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
NC
GND
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
GND
NC
DQ31
V
DDQ
DQ30
DQ29
GNDQ
DQ28
DQ27
V
DDQ
DQ26
DQ25
GNDQ
DQ24
GND
引脚说明
A0-A10
BA0 ， BA1
DQ0到DQ31
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
DQ19
DQ20
GNDQ
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ23
V
DD
V
DD
GND
V
DDQ
GND
Q
NC
动力
地
电源的DQ引脚
地面DQ引脚
无连接
DQM0到DQM3输入/输出面膜
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牧师00C
09/29/03
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
