IS42S32200C1
512K位×32位×4 ,银行( 64 MBIT )
同步动态RAM
特点
•时钟频率: 183 , 166 , 143 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•单3.3V电源
• LVTTL接口
•可编程突发长度:
( 1,2, 4,8,全页)
•可编程突发序列:
顺序/交错
•自刷新模式
• 4096刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
¥可编程
CAS
延迟(2,3时钟)
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
•可在工业温度级
•提供400万86针TSOP II和90球
BGA
•提供无铅
ISSI
®
初步信息
2006年5月
概观
ISSI
的64Mb的同步DRAM IS42S32200C1是
组织为524,288位×32位×4 -银行提高
性能。该同步DRAM实现高
使用流水线架构的高速数据传送。所有输入
并将其输出的信号参阅到所述时钟的所述个上升沿
输入。
关键时序参数
参数
CLK周期时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
CLK频率
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
从时钟存取时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
-55
5.5
10
183
100
5
7.5
-6
6
10
166
100
5.5
7.5
-7
7
10
143
100
5.5
8
单位
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
©2006集成芯片解决方案, Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息,产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
修订版00E
05/18/06
1