IS42S32200
512K位×32位×4 ，银行（ 64 MBIT ）
同步动态RAM
特点
•时钟频率： 166 ， 143 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•单3.3V电源
• LVTTL接口
•可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自刷新模式
• 4096刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
¥可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
•工业温度可用性
•包400万86针TSOP II
ISSI
引脚配置
（ 86引脚TSOP （ II型）
®
初步信息
2003年8月
概观
ISSI
的64Mb的同步DRAM IS42S32200组织
为524288位× 32位×4行，以改善性能。
该同步DRAM实现高速数据传输
采用流水线结构。所有输入和输出信号
参考时钟输入的上升沿。
VCC
I/O0
VCCQ
I/O1
I/O2
GNDQ
I/O3
I/O4
VCCQ
I/O5
I/O6
GNDQ
I/O7
NC
VCC
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
VCC
NC
I/O16
GNDQ
I/O17
I/O18
VCCQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
GND
I/O15
GNDQ
I/O14
I/O13
VCCQ
I/O12
I/O11
GNDQ
I/O10
I/O9
VCCQ
I/O8
NC
GND
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
GND
NC
I/O31
VCCQ
I/O30
I/O29
GNDQ
I/O28
I/O27
VCCQ
I/O26
I/O25
GNDQ
I/O24
GND
引脚说明
A0-A10
BA0 ， BA1
I / O0至I / O31
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
写使能
I/O19
I/O20
GNDQ
I/O21
I/O22
VCCQ
I/O23
VCC
VCC
GND
VCC
Q
GND
Q
NC
动力
地
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
DQM0到DQM3输入/输出面膜
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初步信息
08/14/03
牧师00B
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
