IS42S81600A,
IS42S16800A,
IS42S32400A,
16兆×8 ， 8Meg X16 & 4Meg ×32
128兆位同步DRAM
特点
•时钟频率： 166143100兆赫
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•电源
IS42S81600A
IS42S16800A
IS42S32400A
• LVTTL接口
•可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自动刷新（ CBR ）
•自刷新可编程刷新周期
• 4096刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
¥可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
•工业温度可用性
•无铅可用性
V
DD
3.3V
3.3V
3.3V
V
DDQ
3.3V
3.3V
3.3V
IS42S81600A
4M x8x4银行
54引脚TSOPII
ISSI
®
初步信息
2005年1月
概观
ISSI
的128Mb的同步DRAM实现高速
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟的上升沿
input.The 128Mb的SDRAM安排如下。
IS42S16800A
2M x16x4银行
54引脚TSOPII
IS42S32400A
1M x32x4银行
86引脚TSOPII
关键时序参数
参数
CLK周期时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
CLK频率
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
从时钟存取时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
-6
6
-
166
-
5.4
-
-7
7
10
143
100
5.4
6
-10
10
10
100
100
7
9
单位
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
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初步信息，牧师00C
01/20/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
