IS42S86400B
IS42S16320B ， IS45S16320B
64M ×8 ，32M ×16
512Mb的同步DRAM
特点
•时钟频率： 166 ， 143 ， 133 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•电源
V
dd
V
DDQ
IS42 / 45S16320B 3.3V 3.3V
IS42S86400B
• LVTTL接口
•可编程突发长度
– (1, 2, 4, 8, full page)
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自动刷新（ CBR ）
•自刷新
• 8K刷新周期每64毫秒
•随机列地址每个时钟周期
•可编程CAS延迟时间（ 2 ， 3个时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
•提供54引脚TSOP -II和54球W- BGA
(x16 only)
•工作温度范围：
商业： 0
o
C至+70
o
C
工业： -40
o
C to +85
o
C
汽车， A1 ： -40
o
C to +85
o
C
3.3V 3.3V
2009年9月
概观
ISSI
's 512Mb Synchronous DRAM achieves high-speed
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟输入的上升沿。
The 512Mb SDRAM is organized as follows.
IS42S86400B
16Mx8x4 Banks
54-pin TSOPII
IS42/45S16320B
8M x16x4 Banks
54-pin TSOPII
54-ball W-BGA
关键时序参数
参数
CLK周期时间
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
CLK频率
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
从时钟存取时间
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
-6
6
10
166
100
5.4
6
-7
7
10
143
100
5.4
6
-75E
–
7.5
–
133
–
5.5
单位
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
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集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
版本C
08/27/09
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
