IS42S16400F
IS45S16400F
1梅格位×16位× 4银行（ 64兆位）
同步动态RAM
特点
•时钟频率： 200 ， 166 ， 143 ， 133 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•单3.3V电源
• LVTTL接口
•可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自刷新模式
•自动刷新（ CBR ）
• 4096刷新周期每64毫秒（ COM ，印第安纳州， A1
级）或16毫秒（ A2级）
•随机列地址每个时钟周期
•可编程CAS延迟时间（ 2 ， 3个时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
选项
•包装：
54-pin TSOP II
54-ball FBGA (8mm x 8mm)
•工作温度范围
商用（ 0
o
C至+70
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
Automotive Grade A1 (-40
o
C至+ 85
o
C)
Automotive Grade A2 (-40
o
C至+105
o
C)
2009年11月
概观
ISSI
's 64Mb Synchronous DRAM is organized as 1,048,576
位×16位×4行，以提高性能。该
同步DRAM实现高速数据传输
采用流水线结构。所有输入和输出信号
参考时钟输入的上升沿。
关键时序参数
参数
CLK周期时间
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
CLK频率
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
从时钟存取时间
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
-5
5
7.5
200
133
5
6
-6
6
7.5
166
133
5.4
6
-7
7
7.5
143
133
5.4
6
单位
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
地址表
参数
CON组fi guration
刷新计数
4M ×16
1M ×16× 4
银行
COM /工业。
4K/64ms
A1
4K/64ms
A2
4K/16ms
A0-A11
A0-A7
BA0 ， BA1
A10/AP
行地址
列地址
银行地址引脚
自动预充电引脚
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牧师˚F
11/09/09
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ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
