IS42S81600D,
引脚功能
符号
A0-A11
IS42S16800D
TYPE
输入引脚
功能（详细）
地址输入： A0 - A11在活动进行采样
命令（行地址A0 -A11 ）和读/写命令（列地址A0 -A9
（ X8 ） ，或A0 -A8 （ X16 ） ;与A10定义自动预充电），选择一个位置出来的
在各自的组存储器阵列。预充电命令时A10采样
以确定是否所有银行都被预充电（A10高）或选择由银行
BA0 ， BA1 （ LOW ） 。地址输入也期间负荷模式提供了操作码
注册命令。
银行选择地址： BA0和BA1定义哪些银行ACTIVE ，读，写或
预充电命令被应用。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
"Command真相Table"对设备命令的详细信息。
所述CKE输入确定CLK输入是否被使能。的下一个上升沿
当CKE是高的，无效的低电平时， CLK信号将是有效的。当CKE为低，
该设备将在这两种省电模式下，时钟挂起模式，或自刷新
模式。 CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备
同步于该引脚的上升沿被获取。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该装置
保持在以前的状态时
CS
为高。
DQML和DQMH控制I / O缓冲器的下限和上限字节。在读
模式， DQML和DQMH控制输出缓冲器。 WhenDQML orDQMH为低时，所述
相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去的
高阻抗状态whenDQML / DQMH高。此功能对应
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， DQML和DQMH控制输入缓冲器。当
DQML或DQMH为低，相应的缓冲区字节使能，数据可以
写入器件。 WhenDQML或DQMH为高电平时，输入数据被屏蔽而不能
被写入到设备。对于IS42S16800D只。
对于IS42S81600D只。
在数据总线上的数据被锁存，在写命令DQ引脚，用于缓冲
读取后输出的命令。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。看到"Command
真相Table"项目对设备命令的详细信息。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。看到"Command
真相Table"项目对设备命令的详细信息。
V
DDQ
是输出缓冲器的电源。
V
DD
是设备内部电源。
V
SSQ
是输出缓冲器地面。
V
SS
是设备内部的地面上。
BA0 ， BA1
CAS
CKE
输入引脚
输入引脚
输入引脚
CLK
CS
输入引脚
输入引脚
DQML ，
DQMH
输入引脚
DQM
DQ
0
-DQ
7
or
DQ
0
-DQ
15
RAS
WE
V
DDQ
V
DD
V
SSQ
V
SS
输入引脚
输入/输出
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
6
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
英文内容
07/28/08
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
