IS42S32160A
4M
字× 32位×4银行（ 512兆位）
同步动态RAM
特点
·并发自动预充电
·时钟频率： 133 MHz的
•完全同步操作
·内部流水线结构
·四个内部银行（ 4M X 32位X 4bank ）
·可编程模式
-CAS ＃延迟： 2或3的
-Burst长度： 1,2,4,8或整页
-Burst类型：交错式或线性爆裂
·突发停止功能
·单个字节由DQM0-3控制
•自动刷新和自刷新
·
8K
刷新周期/ 64ms的
· 8K刷新周期/ 32ms的工业级
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
·接口： LVTTL
??包装：
8x13mm ， 90球
LF- BGA ，
焊球间距0.8毫米，
球的大小0.45毫米
•无铅封装。
•可在工业级温度
初步信息
七月
2009
描述
该
ISSI
IS42S32160A是一个高速
CMOS
配置为四
4M
×32 DRAM与
同步接口（所有信号被登记在
时钟信号CLK ）的上升沿。
它是在内部通过堆叠两个256Mb的构造，
梅格16 ×16的设备。每一个4M ×32位的银行是
组织结构
8192
排
由512列32位。
读取和写入访问开始
在一个选定的位置
在一个编程序列。
访问开始
一BankActive注册
命令是
然后是读或写
命令。
该
ISSI
IS42S32160A
为
可编程
读或写的1,2,4,8突发长度，或
整页，带有
一阵终止操作。自动
预充电
功能可被使能，以提供一个自定时
ROW
预充电在脉冲串的末端被启动，它将
sequence.The刷新功能，无论是自动或
自
刷新易于使用。
通过具有可编程的模式寄存器，系统
可以选择最合适的模式，以最大限度地发挥其
性能。
这些器件非常适合需要的应用
高内存带宽。
集成的芯片解决方案，公司
修订版00E
07/21/09
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
