IS42S32200E ， IS45S32200E
引脚功能
符号
A0-A10
引脚号（ TSOP ）
25 to 27
60至66
24
TYPE
输入引脚
功能（详细）
地址输入： A0 - A10在活动进行采样
command (row-address A0-A10) and READ/WRITE command (A0-A7
with A10 defining auto precharge) to select one location out of the memory array
in the respective bank. A10 is sampled during a PRECHARGE command to deter-
mine if all banks are to be precharged (A10 HIGH) or bank selected by
BA0, BA1 (LOW). The address inputs also provide the op-code during a LOAD
模式寄存器命令。
银行选择地址： BA0和BA1定义了银行ACTIVE ， READ，WRITE
或者预充电命令被应用。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
"Command真相Table"对设备命令的详细信息。
所述CKE输入确定CLK输入是否被使能。下一个上升沿
CLK信号的时候是CKE高的和无效的低电平时，将是有效的。当CKE
为低电平时，器件会在两种省电模式下，时钟挂起模式，或自
刷新模式。 CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备
同步于该引脚的上升沿被获取。
CS输入确定装置内的命令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS为低，失效和CS为高电平。该
设备保持在以前的状态时
CS为高电平。
DQ0 to DQ15 are DQ pins. DQ through these pins can be controlled in byte units
using the DQM0-DQM3 pins
BA0, BA1
CAS
CKE =
22,23
18
67
输入引脚
输入引脚
输入引脚
CLK “
CS
68
20
输入引脚
输入引脚
DQ0 〜2 ，4，5 ，7，8 ， 10,11,13
DQ31 74,76,77,79,80,82,83,85
45,47,48,50,51,53,54,56
31,33,34,36,37,39,40,42
DQM0
16,28,59,71
DQM3
DQ引脚
输入引脚
RAS
WE
V
DDQ
V
dd
= GND
q
= GND
19
17
3,9,35,41,49,55,75,81
1,15,29,43
6,12,32,38,46,52,78,84
44,58,72,86
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
DQMx控制THEL奥尔和DQ缓冲区的高位字节。在读取模式下，
输出缓冲器都发生在高阻状态。在写周期的输入数据
被屏蔽。当DQMx被采样到高，是一个输入掩码信号写
accesses and an output enable signal for read accesses. DQ0 through DQ7 are
controlled by DQM0. DQ8 throughDQ15 are controlled by DQM1. DQ16 through
DQ23 are controlled by DQM2. DQ24 through DQ31 are controlled by DQM3.
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。看到"Com-
普通话真相Table"项目对设备命令的详细信息。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。看到"Com-
普通话真相Table"项目对设备命令的详细信息。
V
DDQ
是输出缓冲器的电源。
V
dd
是设备内部电源。
GND
q
是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
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版本B
07/23/09
5
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
