IS42S32200E
IS45S32200E
512K位×32位×4 ，银行（ 64 MBIT ）
同步动态RAM
特点
•时钟频率： 200 ， 166 ， 143 ， 133 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•单3.3V电源
• LVTTL接口
•可编程突发长度：
(1, 2, 4, 8, full page)
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自刷新模式
• 4096刷新周期每16毫秒（ A2级）或
64ms (Commercia, Industrial, A1 grade)
•随机列地址每个时钟周期
•可编程CAS延迟时间（ 2 ， 3个时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
2009年8月
organized as 524,288 bits x 32-bit x 4-bank for improved
性能。该同步DRAM实现高
使用流水线架构的高速数据传送。所有输入
并将其输出的信号参阅到所述时钟的所述个上升沿
输入。
概观
ISSI
的64Mb的同步DRAM IS42 / 45S32200E是
关键时序参数
参数
CLK周期时间
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
CLK频率
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
从时钟存取时间
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
-5
-6
-7
7
10
143
100
5.5
8
-75E
–
7.5
–
133
–
5.5
单位
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
5
6
10 10
200 166
100 100
5 5.5
8
8
选项
•套餐：
86-pin TSOP-II
90-ball TF-BGA
•工作温度范围：
商用（ 0
o
C至+ 70
o
C)
Industrial (-40
o
C to + 85
o
C)
Automotive Grade, A1 (-40
o
C to + 85
o
C)
汽车级， A2 ： （ -40
o
C to +105
o
C)
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版本B
07/23/09
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
