IS42S32800D
IS45S32800D
8M ×32
256Mb的同步DRAM
2009年4月
特点
•时钟频率： 166 ， 143 MHz的
•完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
•隐藏行存取/预充电银行内部
•单电源： 3.3V + 0.3V
• LVTTL接口
•可编程突发长度
– (1, 2, 4, 8, full page)
•可编程突发序列：
顺序/交错
•自动刷新（ CBR ）
•自刷新
• 4096刷新周期每16毫秒（ A2级）或
64 ms (Commercial, Industrial, A1 grade)
•随机列地址每个时钟周期
•可编程CAS延迟时间（ 2 ， 3个时钟）
•突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
•突发终止突发停止和预充电
命令
概观
ISSI
's 256Mb Synchronous DRAM achieves high-speed
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟输入的上升沿。
组织在2Meg 256MB的SDRAM ×32位×4
银行。
关键时序参数
参数
CLK周期时间
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
CLK频率
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
从时钟存取时间
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
-6
6
10
166
100
5.4
6.5
-7
7
10
143
100
5.4
6.5
-75E
—
单位
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
7.5
—
133
—
5.5
地址表
参数
CON组fi guration
刷新计数
COM /工业。
A1
A2
行地址
COLUMN
地址
银行地址
引脚
Autoprecharge
引脚
8M ×32
2M x 32 x 4 banks
4K / 64ms
4K / 64ms
4K / 16ms
A0 – A11
A0 – A8
BA0, BA1
A10/AP
选项
•包装：
86-pin TSOP-II
90-ball TF-BGA
•工作温度范围：
商用（ 0
o
C至+70
o
C)
Industrial (-40
o
C to +85
o
C)
Automotive Grade, A1 (-40
o
C to +85
o
C)
Automotive Grade, A2 (-40
o
C to +105
o
C)
•模具修订：D
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集成的芯片解决方案，公司
- www.issi.com
版本B
03/27/09
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
