IS42S83200C
IS42S16160C
256 MB单倍数据速率同步DRAM
2009年4月
IS42S83200C
组织为4 X银行8,388,608字×8位同步DRAM与LVTTL接口
IS42S16160C
组织为4 X银行4,194,304字×16位。所有输入和输出都参考
的上升沿
CLK 。
IS42S83200C
和
IS42S16160C
实现超高速数据传输速率高达166MHz的，并
适用于主
存储器或图形存储器中的计算机系统。
概述
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 最大。时钟频率：
- 6 ： 166MHz<3-3-3> / -7 ： 143MHz<3-3-3> / -75 ： 133MHz<3-3-3>
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 由BA0控制的4 -银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 / FP （可编程）
- 突发类型 - 顺序和交错爆裂（可编程）
- 控制 - 字节
LDQM
和
UDQM
(IS42S16160C)
- 随机接入列
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 自动和自刷新
- 8192刷新周期/ 64ms的
- LVTTL接口
- 包
400万， 54引脚薄型小外形封装（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距
无铅封装可用
特点
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通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得lat-
该设备特定网络阳离子之前依靠任何公开信息，并把订单产品前EST版本。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
启示录
C
04/02/09
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
