IS61C1024AL
IS64C1024AL
128K ×8高速CMOS静态RAM
ISSI
2005年1月
®
特点
•高速存取时间： 12日， 15纳秒
•
低有功功率： 160毫瓦（典型值）
•
低待机功耗： 1000 μW （典型值） CMOS
待机
•输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单5V （ ± 10 ％ ）电源
•商用，工业和汽车温度
TURE适用范围
•无铅可
描述
该
ISSI
IS61C1024AL / IS64C1024AL是一个非常高速，
低功耗， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。他们
使用的是制造
ISSI公司
高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量更高
高性能和低功耗的器件。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散
可以通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片提供
使能输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能
（WE ）控制写入和读取的存储器。
该IS61C1024AL / IS64C1024AL可在32引脚300-
万SOJ ， 32引脚400密耳SOJ ， 32引脚TSOP （I型， 8x20 ） ，
和32引脚sTSOP （I型， 8× 13.4 ）封装。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
01/24/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
