IS61C1024
IS61C1024L
128K ×8 HIGH -SPEED
CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间： 12 ， 15 ， 20 ， 25纳秒
•
低有功功率： 600毫瓦（典型值）
•
低待机功耗： 500
µW
（典型值） CMOS
待机
•输出使能（
OE
）和两个芯片使能
(
CE1
和CE2 ）的输入，便于在应用程序
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单5V （ ± 10 ％ ）电源
•低功耗版本： IS61C1024L
•商业和工业温度范围
可用的
ISSI
1999年5月
®
描述
该
ISSI
IS61C1024和IS61C1024L是非常高的速度，
低功耗， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。他们
使用的是制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，得到更高的性能和低
电力消耗装置。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（
WE
)
同时控制写入和读取的存储器。
该IS61C1024和IS61C1024L在32引脚可用
300密耳SOJ ，和TSOP （I型， 8x20 ） ，和sTSOP （I型，
8× 13.4 ）封装。
功能框图
A0-A16
解码器
512 x 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 ©版权所有1999年，集成的芯片解决方案，公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
SR028-1K
05/12/99
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
