IS61C256AL
32K ×8高速CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间： 10 ， 12纳秒
• CMOS低功耗运行
- 1毫瓦（典型值） CMOS待机
- 125毫瓦（典型值）的操作
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单5V电源
•无铅可
ISSI
2006年10月
®
描述
该
ISSI
IS61C256AL是一个非常高速，低功耗，
由8位静态RAM， 32,768字。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的存取时间快最多10纳秒。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到150 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用活性提供
低芯片使能（ CE）输入和一个低电平有效输出
启用（ OE ）输入。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS61C256AL的引脚与其它32Kx8 SRAM的兼容
并在28引脚SOJ和TSOP （ I型）可
包。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
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版本B
10/23/06
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
