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IS61C256AH-12NI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IS61C256AH-12NI
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内容描述: 32K ×8高速CMOS静态RAM [32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 64 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61C256AH
32K ×8高速CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间: 10,12, 15,20, 25纳秒
•低有功功率: 400毫瓦(典型值)
•低待机功耗
— 250
µW
(典型值) CMOS待机
- 55毫瓦(典型值) TTL待机
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单5V电源
ISSI
®
1999年5月
描述
ISSI
IS61C256AH是一个非常高速,低功耗,
由8位静态RAM, 32,768字。他们使用的是制造
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度可靠
再加上创新的电路设计技能的过程
niques ,产量存取时间快最多10纳秒。
CE
为高(取消) ,器件处于待机
模式,在其中的功耗可被降低至
250
µW
(典型值), CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能(
CE
)输入和一个低电平有效输出使能(
OE
)
输入。该低电平有效写使能(
WE
)控制两种写作
和读取内存。
该IS61C256AH与其他32K ×8的SRAM引脚兼容
并在28引脚PDIP可用, SOJ ,和TSOP ( I型)
包。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 ©版权所有1999年,集成的芯片解决方案,公司
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
SR020-1O
05/24/99
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