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IS61C256AH-20T 参数 Datasheet PDF下载

IS61C256AH-20T图片预览
型号: IS61C256AH-20T
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内容描述: 32K ×8高速CMOS静态RAM [32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 64 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61C256AH
写周期开关特性
(1,3)
(以上经营范围)
符号参数
-10
MIN 。 MAX
10
9
9
0
0
8
6.5
7
0
0
6
-12
分钟。马克斯。
12
10
10
0
0
8
7
7
0
0
6
-15
分钟。马克斯。
15
10
12
0
0
10
8
9
0
0
7
-20
分钟。马克斯。
20
13
15
0
0
13
10
10
0
0
8
-25
分钟。马克斯。
25
15
20
0
0
15
12
12
0
0
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
®
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
1
t
PWE
2
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
t
LZWE
(2)
写周期时间
CE
撰写完
地址建立时间
撰写完
地址保持
从写端
地址建立时间
WE
脉冲宽度(
OE
低)
WE
脉冲宽度(
OE
HIGH )
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z输出
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图2中转换测试,与负载测量
±500
毫伏从稳态电压。未经100%测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE
低,
WE
低。所有信号必须在有效状态开始写,
但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考的上升或下降
该终止写信号的边沿。
AC波形
写周期NO 。 1 (
WE
控制)
(1,2)
t
WC
地址
有效的地址
t
SA
CE
t
SCE
t
HA
WE
t
AW
t
PWE1
t
PWE2
t
HZWE
t
LZWE
高-Z
D
OUT
数据中,未定义
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
CE_WR1.eps
6
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
SR020-1O
05/24/99