IS61C3216-12KI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IS61C3216-12KI
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内容描述：	32K ×16高速CMOS静态RAM [32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 53 K
品牌：	ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]

OS- CON数据表

SVP系列

测试项目

耐力

（后V.P.S测试）

温度测试

105 ℃保温

施加的电压

6.3V

模型

6SVP470M

LOT号

130106406

变化的电容（ 120Hz）工作

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.1

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

损耗角正切（ 120Hz的）

-10

-20

-30

-40

2000

损耗角正切

％的增量[％]

2000

时间并[h]

ESR （ 100kHz时）

100

10000

漏电流（ 6.3V 60 ）

漏电流（ μA ）

1000

100

0.1

0.01

ESR （毫欧）

2000

时间并[h]

注意：

N = 30P 。

V.P.S测试条件： 230deg.C × 75S × 2倍

（ V.P.S =气相焊接方法）

开始于2001年9月10日

由R. Kawachino执行

结束2001年12月2日

由S.吉野画

No.OS02D-DESVP051

OS工程Departmaent ， OS- CON控制部，佐贺三洋工业有限公司

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