IS61C3216AL
32K ×16高速CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间： 12纳秒
•低有功功率： 175毫瓦（典型值）
•低待机功耗： 1毫瓦（典型值）
CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单5V ±10 ％电源
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•提供44引脚SOJ封装
44针TSOP （ II型）
•商业和工业温度范围
可用的
•无铅可
ISSI
2005年9月
®
描述
该
ISSI
IS61C3216AL是高速，512KB静态RAM
16位组织为32,768字。他们捏造
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计技可靠的工艺
niques ，产量存取时间快12纳秒的低功耗
消费。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS61C3216AL打包在JEDEC标准44-
销400万SOJ和44引脚TSOP （ II型） 。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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REV 。一
09/26/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
