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    IS61C6416AL-12T 参数 Datasheet PDF下载

    IS61C6416AL-12T图片预览
    型号： IS61C6416AL-12T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64K ×16高速CMOS静态RAM [64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 17 页 / 92 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IS61C6416AL-12T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61C6416AL-12T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS61C6416AL-12T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61C6416AL-12T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61C6416AL-12T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS61C6416AL-12T的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IS61C6416AL-12T的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IS61C6416AL-12T的Datasheet PDF文件第11页  
    IS61C6416AL
    IS62C6416AL
    IS64C6416AL
    IS65C6416AL
    ISSI
    t
    RC
    ®
    AC波形
    读周期1号
    (1,2)
    （地址控制） （ CE =
    OE
    = V
    IL
    ,
    UB
    or
    LB
    = V
    IL
    )
    地址
    t
    AA
    t
    OHA
    D
    OUT
    以前的数据有效
    t
    OHA
    数据有效
    READ1.eps
    读周期2号
    (1,3)
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    OE
    t
    OHA
    t
    美国能源部
    CE
    t
    HZOE
    t
    LZOE
    t
    ACE
    t
    LZCE
    t
    HZCE
    LB ， UB
    D
    OUT
    高-Z
    t
    LZB
    t
    BA
    数据有效
    t
    HZB
    UB_CEDR2.eps
    注意事项：
    1.
    WE
    高一读周期。
    2.该装置被连续地选择。
    OE ， CE， UB ，
    or
    LB
    = V
    IL
    .
    3.地址之前或重合是有效的
    CE
    LOW过渡。
    集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
    1-800-379-4774
    REV 。一
    01/17/05
    7

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