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IS61C6416AL-12TLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61C6416AL-12TLI图片预览
型号: IS61C6416AL-12TLI
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内容描述: 64K ×16高速CMOS静态RAM [64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 92 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61C6416AL
IS62C6416AL
IS64C6416AL
IS65C6416AL
ISSI
2005年1月
®
64K ×16高速CMOS静态RAM
特点
IS61C6416AL和IS64C6416AL
•高速存取时间: 12纳秒,为15ns
•低有功功率: 175毫瓦(典型值)
•低待机功耗: 1毫瓦(典型值)
CMOS待机
IS62C6416AL和IS65C6416AL
•高速存取时间: 35纳秒,为45nS
•低有功功率: 50毫瓦(典型值)
•低待机功率: 100 μW (典型值)
CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单5V ±10 %电源
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
•提供44引脚SOJ封装
44针TSOP ( II型)
•商用,工业和汽车温度
TURE适用范围
•无铅可
描述
ISSI
IS61C6416AL , IS62C6416AL , IS64C6416AL和
IS65C6416AL是高速, 1,048,576位静态RAM
16位组织为65,536字。他们捏造
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计技可靠的工艺
niques ,产量存取时间快12纳秒的低功耗
消费。
CE
为高(取消) ,器件处于
待机模式下,在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供
和输出使能输入,
CE
OE 。
该低电平有效写
使能( WE)控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节( UB )和低字节( LB )
访问。
该IS61C6416AL , IS62C6416AL , IS64C6416AL和
IS65C6416AL包装在JEDEC标准44引脚
400万SOJ和44引脚TSOP ( II型) 。
功能框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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1-800-379-4774
REV 。一
01/17/05
1