IS61C25616AL IS61C25616AS
IS64C25616AL IS64C25616AS
256K ×16高速CMOS静态RAM
2008年3月
特点
高速： （ IS61 / 64C25616AL ）
•高速存取时间： 10ns的， 12纳秒
•低有功功率： 150毫瓦（典型值）
•低待机功耗： 10毫瓦（典型值）
CMOS待机
低功耗： （ IS61 / 64C25616AS ）
•高速存取时间： 25纳秒
•低有功功率： 75毫瓦（典型值）
•低待机功耗： 1毫瓦（典型值）
CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单5V ±10 ％电源
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•提供44引脚SOJ封装
44针TSOP （ II型）
•商用，工业和汽车温度
TURE适用范围
•无铅可
描述
该
ISSI
IS61C25616AL / AS和IS64C25616AL / AS是
高速，
4,194,304-bit
静态RAM组织为262,144
字由16位。他们使用的是制造
ISSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产量
存取时间快12纳秒的低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS61C25616AL / AS和IS64C25616AL / AS是封装
年龄在JEDEC标准的44引脚400密耳SOJ和44引脚
TSOP （II型） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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版本C
03/21/2008
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
