IS61LV10248
1M ×8高速CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间：
如图8所示， 10纳秒
•高性能，低功耗的CMOS工艺
•多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
•易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
•
CE
掉电
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单3.3V电源
??可用的软件包：
- 48球miniBGA （9毫米X 11毫米）
- 36球miniBGA （9毫米X 11毫米）
- 44引脚TSOP （ II型）
•无铅可
ISSI
2006年4月
®
描述
该
ISSI
IS61LV10248是一个非常高速，低功耗，
1M字由8位CMOS静态RAM 。该IS61LV10248是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，产生了更高的性能和
低功耗设备。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
该IS61LV10248采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV10248可提供48小球BGA ， 36球
微型BGA和44引脚TSOP （ II型）封装。
功能框图
A0-A19
解码器
1M ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
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集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
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版本C
04/13/06
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
