IS61LV12816L
128K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
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高速存取时间：8， 10纳秒
工作电流：50mA （典型值）。
待机电流： 700μA （典型值）。
TTL和CMOS兼容的接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
对于高字节和低字节数据控制
提供工业级温度
无铅可用
ISSI
2005年10月
®
描述
该
ISSI
IS61LV12816L是一个高速， 2097152位
静态RAM （16位）组织为131,072字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量访问时间
尽可能快8 ns的低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS61LV12816L打包在JEDEC标准
44针TSOP （II型） ， 44引脚LQFP封装，以及48引脚小型BGA
（ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A16
解码器
128Kx16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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牧师˚F
10/27/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
