IS61LV12824
128K ×24高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
•高速存取时间： 8 ， 10纳秒
• CMOS低功耗运行
- 756毫瓦（最大）操作@ 8纳秒
- 36毫瓦（最大）待机@ 8纳秒
• TTL兼容接口电平
•单3.3V电源
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•提供119引脚塑料球栅阵列
（ PBGA ）和100引脚TQFP封装。
•工业应用温度
•无铅可
ISSI
2005年6月
®
描述
该
ISSI
IS61LV12824是一个高速，静态RAM组织
如131,072字由24位。它是使用制造
ISSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产量AC-
塞斯倍快8 ns的低功耗。
当
CE1 ， CE2
高， CE2为低（取消） ，该
装置假定一个待机模式，在该功率耗散
化能与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE1,
CE2,
CE2
和
OE 。
活跃
LOW写使能（ WE）控制着写作和阅读的
的存储器。
该IS61LV12824打包在JEDEC标准
119引脚PBGA和100引脚TQFP封装。
功能框图
A0-A16
解码器
128K X 24
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O23
列I / O
CE2
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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Rev. D的
06/22/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
