IS61LV25616AL
ISSI
t
RC
®
读周期2号
(1,3)
地址
t
AA
OE
t
OHA
t
美国能源部
CE
t
HZOE
t
LZOE
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
LB ， UB
D
OUT
高-Z
t
LZB
t
BA
t
RC
数据有效
t
HZB
V
DD
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
I
CC
50%
I
SB
UB_CEDR2.eps
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE ， CE， UB ，
or
LB
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
LOW过渡。
写周期开关特性
(1,3)
（以上经营范围）
符号
参数
写周期时间
CE
撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
LB ， UB
有效到结束写入的
WE
脉冲宽度
WE
脉冲宽度（ OE = LOW ）
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z输出
WE
前高后低-Z输出
-10
分钟。马克斯。
10
8
8
0
0
8
8
10
6
0
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
-12
分钟。马克斯。
12
8
8
0
0
8
8
12
6
0
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWB
t
PWE
1
t
PWE
2
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
t
LZWE
(2)
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
0V至3.0V ，输出负载，如图1中指定。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE
低，
UB
or
LB
和
WE
低。所有信号都必须在
有效状态开始写，但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立和保持
定时是参照该终止写信号的上升沿或下降沿。
8
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REV 。一
02/21/03
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
