IS61LV25616AL
256K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间：
- 10 ， 12纳秒
• CMOS低功耗运行
•低待机功耗：
- 小于5m
A
（典型值） CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单3.3V电源
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•工业应用温度
ISSI
2003年2月
®
描述
该
ISSI
IS61LV25616AL是一个高速， 4194304位
静态RAM （16位）组织为262,144字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，产量高性能和低
电力消耗装置。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS61LV25616AL打包在JEDEC标准
44引脚400密耳SOJ ， 44引脚TSOP II型， 44引脚LQFP和
48针Mini- BGA （8毫米X 10毫米） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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REV 。一
02/21/03
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
