IS61LV3216
32K ×16低电压CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间:10, 12,15,和20纳秒
• CMOS低功耗运行
- 150毫瓦(典型值)的操作
- 150 μW (典型值)待机
• TTL兼容接口电平
•单3.3V ± 10 %电源
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
•三态输出
•工业应用温度
•提供44引脚400密耳SOJ封装
44针TSOP (类型2)
ISSI
®
1997年11月
描述
该
ISSI
IS61LV3216是一个高速, 512K静态RAM
16位组织为32,768字。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度可靠
再加上创新的电路设计技能的过程
niques ,产率快的存取时间,功耗低。
当
CE
为高(取消) ,器件处于待机
模式,在该功率耗散可以减至
与CMOS输入电平。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供
和输出使能输入,
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能( WE)控制着写作的memory.A和阅读
数据字节允许高字节( UB )和低字节( LB )的访问。
该IS61LV3216打包在JEDEC标准的44引脚
400万SOJ和44引脚TSOP (类型2) 。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 ©版权所有2001年,集成的芯片解决方案,公司
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
04/17/01
1