IS61LV51216
IS64LV51216
512K ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间：
- 8，10，和12纳秒
• CMOS低功耗运行
•低待机功耗：
- 小于5m
A
（典型值） CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单3.3V电源
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•可用的工业和汽车温度
•无铅可
ISSI
2005年12月
®
描述
该
ISSI
IS61 / 64LV51216是一个高速，8M位的静态
RAM （16位）组织为525288字。据制作
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这
高度可靠的工艺加上创新的电路DE-
签名技术，得到高性能和低功耗
消费设备。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
在IS61 / 64LV51216封装在JEDEC标准
44引脚TSOP II型和48针Mini- BGA （9毫米X 11毫米） 。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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Rev. D的
12/06/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
