IS61LV5128
512K ×8高速CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间：
10，12和15纳秒
•高性能，低功耗的CMOS工艺
•多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
•易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
•
CE
掉电
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单3.3V电源
??可用的软件包：
- 36引脚400密耳SOJ
- 36引脚miniBGA
- 44引脚TSOP （ II型）
ISSI
®
2001年7月
描述
该
ISSI
IS61LV5128是一个非常高速，低功耗，
524,288字由8位CMOS静态RAM 。该IS61LV5128
使用被制造
ISSI
的高性能CMOS技
术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，得到更高的性能
和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到250 μW （典型值）， CMOS输入电平。
该IS61LV5128采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV5128是采用36引脚400密耳SOJ可用， 36-
针小型BGA和44引脚TSOP （ II型）封装。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
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版本B
07/16/01
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
