IS61LV5128AL
512K ×8高速CMOS静态RAM
ISSI
2005年4月
®
特点
•高速存取时间：
10，12纳秒
•高性能，低功耗的CMOS工艺
•多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
•易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
•
CE
掉电
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单3.3V电源
??可用的软件包：
- 36引脚400密耳SOJ
- 36引脚miniBGA
- 44引脚TSOP （ II型）
•无铅可
描述
该
ISSI
IS61LV5128AL是一个非常高速，低功耗，
524,288字由8位CMOS静态RAM 。该
IS61LV5128AL使用制造
ISSI
的高perform-
ANCE CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产量
更高性能和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到250 μW （典型值）， CMOS输入电平。
该IS61LV5128AL采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV5128AL是采用36引脚400密耳SOJ可用， 36-
针小型BGA和44引脚TSOP （ II型）封装。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
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控制
电路
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
04/15/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
