IS61WV102416ALL
IS61WV102416BLL
IS64WV102416BLL
1M ×16高速异步
采用3.3V电源CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间：
8，10， 20纳秒
•高性能，低功耗的CMOS工艺
•多中心的电源和接地引脚更大
噪声抗扰度
•易于扩展的内存使用
CE
和
OE
OP-
系统蒸发散
•
CE
掉电
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单电源供电
V
DD
1.65V至2.2V （ IS61WV102416ALL ）
速度= 20ns，适合于V
DD
1.65V至2.2V
V
DD
2.4V至3.6V （ IS61 / 64WV102416BLL ）
速度= 10ns的为V
DD
2.4V至3.6V
速度=为8ns的V
DD
3.3V + 5%
??可用的软件包：
- 48球miniBGA （9毫米X 11毫米）
- 48引脚TSOP （ I型）
•工业和汽车温度支持
•无铅可
•为上下字节的数据控制
ISSI
2006年4月
®
描述
该
ISSI
IS61WV102416ALL / BLL和IS64WV102416BLL
是高速， 16M位的静态RAM组织为1024K
字由16位。它是使用制造
ISSI
的高perform-
ANCE CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术，产生高性
曼斯和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该器件采用符合JEDEC标准的48引脚
TSOP I型和48针Mini- BGA （9毫米X 11毫米） 。
功能框图
A0-A19
解码器
1024K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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REV 。一
02/13/06
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
