IS64WV3216BLL
IS61WV3216BLL
32K ×16高速CMOS静态RAM
ISSI
2005年11月
®
特点
•高速存取时间：
12纳秒： 3.3V + 10 ％
15纳秒： 2.5V - 3.6V
• CMOS低功耗运行：
50毫瓦（典型值）的操作
25 μW （典型值）待机
• TTL兼容接口电平
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•汽车应用温度
•无铅可
描述
该
ISSI
IS61 / 64WV3216BLL是一个高速， 524,288位
静态RAM （16位）组织为32,768字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这加上inno-高度可靠的工艺
vative电路设计技术，产量存取时间
快为12ns （ 3.3V + 10 ％ ），并为15ns （ 2.5V - 3.6V ） ，低
功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
在IS61 / 64WV3216BLL打包在JEDEC标
准44针TSOP -II ，和48针微型BGA （ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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REV 。一
09/26/05
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
