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IS61WV6416BLL-12TLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61WV6416BLL-12TLI图片预览
型号: IS61WV6416BLL-12TLI
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内容描述: 64K ×16高速CMOS静态RAM [64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 101 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS64WV6416BLL
IS61WV6416BLL
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
V
DD
工作动态
电源电流
测试条件
V
DD
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
选项
COM
.
IND
.
AUTO
ISSI
-12 NS
分钟。马克斯。
35
45
60
20
5
5
5
20
50
75
6
-15 NS
分钟。马克斯。
30
40
50
20
5
5
5
20
50
75
6
uA
单位
mA
®
典型值。
(2)
I
CC
1
工作电源
当前
I
SB
2
CMOS待机
电流( CMOS输入)
V
DD
=最大,
IOUT = 0毫安, F = 0
V
DD
=最大,
CE
V
DD
– 0.2V,
V
IN
V
DD
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM
.
IND
.
AUTO
COM
.
IND
.
AUTO
mA
典型值。
(2)
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 2.5V ,T
A
=25
o
C.未经100%测试。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
11/08/05
5