欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IS62C1024L-35QI 参数 Datasheet PDF下载

IS62C1024L-35QI图片预览
型号: IS62C1024L-35QI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128K ×8低功耗CMOS静态RAM [128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 66 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
 浏览型号IS62C1024L-35QI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS62C1024L-35QI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62C1024L-35QI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62C1024L-35QI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62C1024L-35QI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS62C1024L-35QI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IS62C1024L-35QI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IS62C1024L-35QI的Datasheet PDF文件第11页  
IS62C1024L
AC波形
写周期号1 (我们控制)
(1,2)
WE
t
WC
ISSI
®
地址
t
SCE1
t
HA
CE1
t
SCE2
CE2
t
AW
t
PWE
(4)
t
SA
t
HZWE
高-Z
WE
t
LZWE
DOUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
DIN
DATA-内有效
写周期NO 。 2 ( CE1 CE2控制)
(1,2)
CE1,
CE1
t
WC
地址
t
SA
t
SCE1
t
HA
CE1
t
SCE2
CE2
t
AW
t
PWE
(4)
WE
t
HZWE
t
LZWE
高-Z
DOUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
DIN
DATA-内有效
注意事项:
1.内部写入时间是由重叠定义
CE1
LOW , HIGH CE2和
WE
低。所有信号必须在有效状态,以
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
2. I / O将承担高阻状态,如果
OE
= V
IH
.
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
英文内容
11/26/03
7