欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IS62C1024AL-35QLI 参数 Datasheet PDF下载

IS62C1024AL-35QLI图片预览
型号: IS62C1024AL-35QLI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128K ×8低功耗CMOS静态RAM [128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管PC
文件页数/大小: 11 页 / 75 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
 浏览型号IS62C1024AL-35QLI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IS62C1024AL-35QLI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS62C1024AL-35QLI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62C1024AL-35QLI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62C1024AL-35QLI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62C1024AL-35QLI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS62C1024AL-35QLI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IS62C1024AL-35QLI的Datasheet PDF文件第9页  
IS62C1024AL
IS65C1024AL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5到+7.0
-65到+125
1.0
20
单位
V
°C
W
mA
ISSI
®
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
DD
= 5.0V.
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
测试条件
V
DD
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
DD
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
选项
分钟。
2.4
2.2
-0.5
-1
-2
-5
-1
-2
-5
马克斯。
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
1
2
5
1
2
5
单位
V
V
V
V
µA
GND
V
IN
V
DD
GND
V
OUT
V
DD
CE1
= V
IH
CE2 = V
IL
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
I
LO
输出漏
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
µA
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
01/24/05
3