IS62C1024
128K ×8高速CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间: 35 , 45 , 55 , 70纳秒
•
低有功功率: 450毫瓦(典型值)
•
低待机功率: 500 μW (典型值) CMOS
待机
•输出使能( OE )和两个芯片使能
( CE1和CE2 )输入,便于应用
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单5V ( ± 10 % )电源
ISSI
®
2000年1月
描述
该
ISSI
IS62C1024是一款低功耗, 131,072字经
8位CMOS静态RAM 。它是使用制造
ISSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠
工艺加上创新的电路设计技术,
产生更高的性能和低功耗
设备。
当
CE1
是高或CE2为低(取消) ,该
装置假定一个待机模式,在该功率
耗散可以通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展,通过使用两个芯片提供
使能输入,
CE1
和CE2 。有源低写入
使能( WE)控制两种写作和阅读
内存。
该IS62C1024可在32引脚525密耳的塑料SOP
与TSOP (类型1)的包。
功能框图
A0-A16
解码器
512 X 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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启摹
01/14/00
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