IS65C256AL
IS62C256AL
32K ×8低功耗CMOS静态RAM
ISSI
2006年3月
®
特点
•访问时间： 25 ns的， 45纳秒
•低有功功率： 200毫瓦（典型值）
•低待机功耗
- 150 μW （典型值） CMOS待机
- 为15mW （典型值）的操作
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单5V电源
•无铅可
•工业和汽车温度可用
ABLE
描述
该
ISSI
IS62C256AL / IS65C256AL是一款低功耗，
由8位CMOS静态RAM 32768字。据制作
运用
ISSI
的高性能，低功耗的CMOS技
术。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到150 μW （典型值） ，在CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用活性提供
LOW片选（ CE）输入和一个低电平有效输出
启用（ OE ）输入。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62C256AL / IS65C256AL是引脚兼容
其他32Kx8 SRAM的塑料SOP或TSOP （ I型）
封装。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
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REV 。一
03/17/06
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
