IS62LV1288LL
128K ×8低功耗和低Vcc的
CMOS静态RAM
特点
?? 45 ， 55 ，和70 ns访问时间
•
低有功功率： 60毫瓦（典型值）
•
低待机功率： 15 μW （典型值） CMOS
待机
•低数据保持电压： 2V （分钟）
•超低功耗
•输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
• TTL兼容的输入和输出
•单2.5V （最小值）至3.45V （最大值）电源
•工业应用温度
•提供32引脚TSOP （ I型） ， 32针
STSOP ，以及450万SOP
ISSI
描述
®
2001年FEBUARY
该
ISSI
IS62LV1288LL是一款低功耗，低
VCC ， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量更高
高性能和低功耗的器件。
当
CE1
是高或CE2为低（取消） ，该
装置假定一个待机模式，在该功率
耗散可以通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片提供
使能输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能
（WE ）控制写入和读取的存储器。
该IS62LV1288LL是32引脚TSOP （ I型）提供，
STSOP （8× 13.4毫米）和450密耳厚的塑料SOP（ 525密耳
引脚到引脚）封装。
功能框图
A0-A16
解码器
512 X 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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REV 。一
03/22/01
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
