IS62LV2568LL
256K ×8低功耗和低Vcc的
CMOS静态RAM
特点
•访问的70和85 ns的时间
•
CMOS低功耗运行：
- 120毫瓦（典型值）的操作
- 6 μW （典型值）待机
•低数据保持电压： 2V （分钟）
•输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
• TTL兼容的输入和输出
•全静态操作：
- 无时钟或刷新要求
•单2.5V至3.0V电源
•提供32引脚TSOP （ I型） ， STSOP （ I型） ，
和36针微型BGA
ISSI
描述
®
2000年4月
该
ISSI
IS62LV2568LL是一个低电压， 262,144字
由8位， CMOS SRAM中。它是使用制造
国际空间站
我是低
电压，六晶体管（ 6T ） ， CMOS技术。该装置是
有针对性地满足国家的最先进的要求
技术诸如蜂窝电话和寻呼机。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。此外，易记忆
扩展是通过使用芯片使能和输出提供
使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62LV2568LL是32引脚TSOP （ I型）提供，
STSOP （ I型）和36引脚小型BGA封装。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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版本B
05/03/00
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
