IS62LV2568LL
256K ×8低功耗和低Vcc的
CMOS静态RAM
特点
•访问的70和85 ns的时间
•
CMOS低功耗运行:
- 120毫瓦(典型值)的操作
- 6 μW (典型值)待机
•低数据保持电压: 2V (分钟)
•输出使能( OE )和两个芯片使能
( CE1和CE2 )输入,便于应用
• TTL兼容的输入和输出
•全静态操作:
- 无时钟或刷新要求
•单2.5V至3.0V电源
•提供32引脚TSOP ( I型) , STSOP ( I型) ,
和36针微型BGA
ISSI
描述
®
2000年4月
该
ISSI
IS62LV2568LL是一个低电压, 262,144字
由8位, CMOS SRAM中。它是使用制造
国际空间站
我是低
电压,六晶体管( 6T ) , CMOS技术。该装置是
有针对性地满足国家的最先进的要求
技术诸如蜂窝电话和寻呼机。
当
CE
为高(取消) ,器件处于
待机模式下,在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。此外,易记忆
扩展是通过使用芯片使能和输出提供
使能输入,
CE
和
OE 。
该低电平有效写使能( WE)
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62LV2568LL是32引脚TSOP ( I型)提供,
STSOP ( I型)和36引脚小型BGA封装。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 ©版权所有2000年,集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案,公司 - 1-800-379-4774
版本B
05/03/00
1