IS62LV256
32K ×8低压静态RAM
ISSI
描述
®
2002年12月
特点
•访问时间： 45 ， 70纳秒
•低有功功率： 70毫瓦
•低待机功耗
- 45 μW CMOS待机
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单3.3V电源
该
ISSI
IS62LV256是一个非常高速，低功耗，
32,768字由8位静态RAM 。它是使用制造
ISSI
's
高性能CMOS双金属技术。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散被降低到
10 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能（ CE）输入和一个低电平有效输出使能
（ OE ）输入。该低电平有效写使能（ WE）控制着
写入和读取的存储器。
该IS62LV256与其他32K ×8的SRAM引脚兼容
在300万SOJ ， 330密耳的塑料SOP ， TSOP和（ I型普通
和反向弯曲）封装。
功能框图
A0-A14
解码器
256 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
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牧师ķ
12/11/02
1
ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
